首页 > 商品目录 > > > > IRFH5210TRPBF代替型号比较

IRFH5210TRPBF  与  BSC160N10NS3 G  区别

型号 IRFH5210TRPBF BSC160N10NS3 G
唯样编号 A-IRFH5210TRPBF A-BSC160N10NS3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.6 W 39 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.9mΩ@33A,10V 13.9mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 25nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 21S
封装/外壳 PQFN(5x6) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 42A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta) 60W
典型关闭延迟时间 - 22ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 13ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5210TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
DMT8012LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
BSC160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3GATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售